049. 不可不知｜功率篇（Power）

電漿蝕刻（Plasma Etching）是一種利用電漿來蝕刻材料的製程。在這個過程中，使用功率將氣體變成電漿，這個電漿中包含了電子、正離子、和中性粒子。這種高能的電漿被用來刻蝕材料表面，使其發生化學或物理變化，進而達到刻蝕的效果。以下是

TCP match

keywords: match, cap, TCP, Bias, power

Power （功率）

	1主動 （設定值）	2被動 （控制量）	備註
功率控制	Bias voltage	Bias forward power	因機台bias voltage mode
功率控制	bias voltage	Series cap position Shunt cap position	power
功率控制	TCP forward power	C1/C3 Cap position	power
功率控制	TCCT	C4/C5 Cap position	power

1. Kiyo 關於功率的哪兩個迴路？

答：TCP and Bias.

2. TCP generator 有什麼SVID（會變化參數）？

答：1)TCP RF forward power 

        2)TCP RF reflected power

3. Bias generator 有什麼SVID（會變化參數）？

答：1)Bias RF forward power 

        2)Bias RF reflected power

4. TCP Match 有什麼SVID（會變化參數）？

答：1)C1 cap(電容） 

        2)C3 cap(電容）

        3)C4 cap(電容）

        4)C5 cap(電容）

        5)TCCT： inner current/outer current. 調整coil 內外圈的比例。

5. TCP reflected power 偏高，要檢查迴路的哪部份？

答：1） C1/C3 

        2）sensor box (power cable 接進match 的地方）

6. TCCT 怎麼調整比例，若有問題可檢查哪裡？

答：1）C4/C5

7. Bias Match 有什麼SVID（會變化參數）？

答：1)Series cap(電容） 

        2)Shunt cap(電容）

  

8. Match有何功用？

答：匹配 power.  Ideal Power  = Forward power + Reflected power 

        match 透過電容調節，降低Reflected power。

UI 上關於Power的相關零件

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TCP Match / Bias Match 位置