籃板王DIY日記---知識就是力量

2023年7月15日星期六

028. 字詞，弄懂後，智商變高，功力大增

No.	縮寫	解釋
1	OES	Optical Emission Spectrometer，光譜分析儀，不同顏色的光，有不同的波長。
2	Recipe	製程步驟設定。見UI recipe 頁面。可看到各步的壓力、溫度、功率等設定參數。
3	CDA	Compressed dry air，壓縮空氣。
4	BKM	Best known method，已知最佳方法
5	CIP	Continue improvement Process，持續改善計劃
6	CM1	Process manometer，量測process時壓力
7	CM2	Chamber manometer，量測chamber 壓力
8	CM3	Foreline manometer，量測foreline壓力
9	UPC	Unit Pressure Control，ex. B/H UPC, TM N2 UPC
10	LTC	Lam Temperature Control，Lam溫度控制電路板
11	FIB	Facility Interface Box. 廠務 gasline 接進機台的gasbox 介面
12	UI	User Interface, 機台操作介面。
13	B/H	Backside Helium，ESC

2023年7月13日星期四

027. ESC temp calibration with on wafer

on wafer 65點溫度計，高級溫度計

Reference: 202-050072-205

keywords: on wafer, ESC cal

概念摘要

1. on wafer 是什麼？

答：溫度計，wafer 上有65個溫度計，用來偵測ESC表面各個位置的溫度。

2. ESC為何需要校正？

答：4 zone ESC，有4個偵測溫度的photon sensor，但真的就準確嗎？
因此藉由on wafer 這更精準的溫度計，校正ESC temp。

3. 校正怎麼做？

答：Cal1/Cal2/Cal3，完成校正後，再收一個duty cycle 的部份，
確認4 zone 在40度、50度、60度、70度的 Mean (均值）及Range (最大最小落差）

是否符合規範。

Setting	TCU1	ESC 4 zone
Cal 1	10	20
Cal 2	10	60
Cal 3	30	60

● Preparing the System
答：check recipe 內容，calibration point 1/2/3，我把它簡化成上述的表格，
以下圖為procedure 完整內容

Calibration 1 setpoint

Calibration 2 setpoint

Calibration setpoint 3
● Performing the Calibration
答：校正的頁面，UI 操作畫面的位置，就是要在這頁面，
用on wafer 計算出4 zone 溫度的offset（誤差值）
以cal 1 為例，TCU設定10度，ESC temp 設定在20度，
on wafer 進 chamber 去收集資料，
透過這方式，計算出4個區域的溫度，將 on wafer 的平均值
key 進圖中的 inner, mid inner, mid outer, outer 四個區域，
完成Cal1 校正。
Cal 2， TCU設定10度，ESC temp 設定在60度，重覆上述動作。
Cal 3， TCU設定30度，ESC temp 設定在60度，重覆上述動作。

UI 操作介面位置
● Restoring the Previous Calibration State
答：呼換出先前一次的校正值。
原文重現
● Resetting the Calibration Values to Zero
答：校正前，將校正值歸零的按鍵，會跳出視窗，詢問確認要歸零。
原文重現
● Determining the ESC Zone Average Temperatures for the OnWafer Using Lam DA
答：on wafer 65個點，怎麼區分4 zone 的資料呢？
2016年前我學的時候，確實要去點選各區的點，來算平均值
現在Lam DA 有開發出軟體可以計算，
只要將 on wafer 的資料，另存為excel 的.csv檔案格式，丟到機台
用軟體開啟excel 的檔案，
完成一些基本選項設定，如：4 zone, 開始秒數/結束秒數。
Lam DA -> special knowledge -> ESC temp Calibration

ESC temperature Calibration Window

KLA on wafer result 判讀

後記
這是我在公司，第一個學會的技能，
當被派工要收 on wafer，學長擔心我做不到時，
我早就主動學會，說我能完成的同時，令Leader驚訝的一刻
這大約是在2013年的事了，到現在還歷歷在目。

2023年7月11日星期二

026. 值班概念 - -停機的幾種應對方式

值班概念 - -停機的幾種應對方式

keyword: 值班觀念

4-1 FDC

學會U/T/long term U, 藉此判斷機台狀況。

4-2 SPC

4-2-1 PA (particle chart)

• 學會撈出機台的PA chart

• 判讀Total count / Area / Zone1 / Zone4

• Defect wafer map

• Defect wafer map trend

• PA NG, 如何復歸機台？Clean WAC

4-2-2 ER (Etching rate)

• 學會撈出機台的ER chart

• 判讀 Total Mean / Total Range / Zone Mean & range

• Wafer view 畫出map

• ER NG, 如何復歸機台？NRMS

4-3 Tool alarm

• Alarm畫面：呈現Alarm完整訊息。

• UI 主畫面：呈現當下LP Lot ID 訊息。

• UI maintain：chamber 當時狀態，若是TM alarm，亦留下TM當時狀態畫面。

• 判讀Alarm訊息，進行故障排除。

4-4 Defect

• Case center：確認high light wafer 的資訊

• Defect code：Line broken/Partial etch/Pattern fail..

• Wafer 過機時間

• Defect map：是否Local map? 特別集中的區域

• Particle history map 是否有呼應 Defect map

• Clean WAC -> enhance monitor PA /partition -> PE pi KLA

4-5 Others key point

• 雜務，判斷事情嚴重緊急程度進行處理，尤其是「Fab 水、電、氣相關問題」，優先處理。

2023年7月3日星期一

025. FDC 機台監控系統基本概念

keywords：U，T，longterm

定義 U chart，功用。

什麼是U chart? 計算chart, 可以設定Mean（平均值）、Range（最大值 --最小值），SLOP（後值—前值），依據物理特性可設定規格的上下限，當機台表現超過spec 的上限或下限，就會trigger alarm. 機台會pause, WEQ, 等狀況，就必須停機檢查。這部份建議先從T chart 認識起。

定義 T chart，功用。

什麼是T chart，T = time 時間，我們希望機台能記錄wafer process時，所有重要感知器當下的狀態，例如一個溫度感知器，當chamber process時，要記錄一個溫度，假設recipe 有5個步驟，這 process recipe 歷經T5秒，如下圖，每條橫線代表每個process 該感知器回報的溫度變化，大約在60度，3條代表3個process，就是T chart。

T chart 溫度感知器

當chamber process時，要記錄一個壓力變化，假設recipe 有5個步驟，這 process recipe 歷經T5秒，如下圖，每條橫線代表每個process 該感知器回報的壓力變化，step1-2壓力設定在2mT，step3-4-5壓力設定在6mT，就同樣是T chart。

T chart 壓力感知器

T chart 與 U chart 什麼關係

左圖為T chart，右圖為 U chart，以mean為例，T chart 上的每條線的平均值，會變為U chart 上的一個點，綠色的線在U chat 上變成 data1，橙色線為U chart 上data2，藍色線為U chart 上data 3，紅色線為U chart 上的data4.

設定上下限規格，是一門學問，在這先不探討，先讓新人有初步的認知，瞭解到chart 的由來與用意，以下為圖片說明：

U chart UCL （spec 上限）
U chart LCL （spec 下限）
Data1, data2, data3 符合規格
Data4, 超出規格。停機檢查。